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          高壓瓷片電容
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          薄膜電容器損耗頻率特性

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          人氣:-發表時間:2017-09-04 14:09【

          薄膜電容器逐批檢驗的主要技術指標有:電容量、損耗(損耗角正切值)、絕緣電阻、耐電壓、可焊性、外觀等,在這些指標中電容器的損耗是一個重要的指標,它直接影響薄膜

          電容器的產品質量、合格率,影響企業的經濟效益。薄膜電容器的損耗不是一個固定的數值,它隨測試頻率不同而不同,本文就薄膜電容器的損耗與測試頻率的關系做一探討。

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          薄膜電容器損耗頻率特性      

          按照國家標準,測試薄膜電容器損耗tgδ時儀表的測試電壓檔設為0.1V或0.3V,測試頻率為1KHZ,聚酯薄膜電容器的損耗要求≤0.0080(大為0.0100),聚丙烯薄膜電容器的損耗tgδ要求≤0.0010。這些電容器往往用于直流、使用電壓較低、使用頻率較小的場合。但是,有些電子儀器設備使用場合如彩電行逆程電路、開關電源電路等,它們的使用頻率較高在幾十KHZ左右,而且有的電路有交流成分,因此要求電容器高頻性能要好,即電容器在高頻條件下的損耗要小。如果高頻損耗大,電容器在使用過程中,電容器自身就要消耗,引起電容器芯子發熱,終導致電容器芯子薄膜收縮,電容器失效。

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          薄膜電容器的高頻損耗隨測試頻率的增加而增加,兩者之間不是線性關系;聚丙烯薄膜電容器的高頻損耗要比聚酯電容器的高頻損耗小。由于聚丙烯薄膜電容器的高頻損耗小,因此聚丙烯薄膜電容器適用于高頻電路場合。

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