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          高壓瓷片電容
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          電壓和電力對薄膜電容的自愈性有關

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          人氣:-發表時間:2019-11-12 16:48【

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          自愈是薄膜電容器的一大特性和優點,正常的自愈對電容器的性能沒有損害,不過是會造成小比例容量的衰減。一個點的自語時間很短,一般在10u以內完成。為什么說外施電壓對薄膜電容的自愈性產生影響?

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          其原因是為了實現自愈須在圍統擊穿點處有一定的量作用形成去掉金屬的固開區城,但如釋放的量太多,臨近的介質就會遭受破壞而引起新的擊穿,如此發展下去就會導致介質反復擊穿從而使擊穿點處介質燒灼結和自愈失效??梢姙榱双@得足夠的自愈區并使臨近的介質不致受到損傷,自愈放電量須拉制在一定的范圍內。自愈區耗散的量是影響自愈性能的一個重要參數。

          薄膜電容器的自愈有兩種不同的機理:一種是放電自愈;另一種是電化學自愈。放電自愈是發生在電壓較高下,所以也稱為高壓自愈;電化學自愈在電壓很低的情況下也出現,所以稱為低壓自愈。

          對于電容器的時候我們要合理,特別在選型方面也是非常重要的。如果有參數不懂的記得向廠家提供,避免在使用上造成錯誤。近年來薄膜電容在汽車新能源中漸漸的代替鋁電解電容,品質與性能作用也是大家一直關注的問題。未來我國的薄膜電容將會不斷的進步,提供更好的品質。

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          此文關鍵字:薄膜電容
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